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1 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,wechselrichter/igbt,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 150c t c = 25c, t vj max = 150c i c nom i c 25 40 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 50 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 150 p tot 155 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 25 a, v ge = 15 v i c = 25 a, v ge = 15 v v ce sat 1,70 1,90 2,15 v v t vj = 25c t vj = 125c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 1,00 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,24 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 8,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 1,80 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,064 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 36 w t d on 0,09 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 36 w t r 0,03 0,05 s s t vj = 25c t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 36 w t d off 0,42 0,52 s s t vj = 25c t vj = 125c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 25 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 36 w t f 0,07 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v r gon = 36 w e on 2,40 3,50 mj mj t vj = 25c t vj = 125c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 25 a, v ce = 600 v, l s = 45 nh v ge = 15 v r goff = 36 w e off 1,80 2,10 mj mj t vj = 25c t vj = 125c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 100 a t vj = 125c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 0,80 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
2 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,wechselrichter/diode,inverter h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 25 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 50 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 170 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 25 a, v ge = 0 v i f = 25 a, v ge = 0 v v f 1,65 1,65 2,15 v v t vj = 25c t vj = 125c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 25 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v i rm 26,0 24,0 a a t vj = 25c t vj = 125c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 25 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v q r 2,80 5,00 c c t vj = 25c t vj = 125c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 25 a, - di f /dt = 700 a/s (t vj =125c) v r = 600 v v ge = -15 v e rec 0,90 1,80 mj mj t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,35 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c diode,gleichrichter/diode,rectifier h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1600 v durchlassstromgrenzeffektivwertprochip maximumrmsforwardcurrentperchip t c = 80c i frmsm 50 a gleichrichterausganggrenzeffektivstrom maximumrmscurrentatrectifieroutput t c = 80c i rmsm 60 a sto?stromgrenzwert surgeforwardcurrent t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i fsm 315 260 a a grenzlastintegral i2t-value t p = 10 ms, t vj = 25c t p = 10 ms, t vj = 150c i2t 495 340 a2s a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage t vj = 150c, i f = 25 a v f 1,05 v sperrstrom reversecurrent t vj = 150c, v r = 1600 v i r 2,00 ma w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 1,00 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op c
3 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata igbt,brems-chopper/igbt,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues kollektor-emitter-sperrspannung collector-emittervoltage t vj = 25c v ces 1200 v kollektor-dauergleichstrom continuousdccollectorcurrent t c = 80c, t vj max = 150c t c = 25c, t vj max = 150c i c nom i c 15 25 a a periodischerkollektor-spitzenstrom repetitivepeakcollectorcurrent t p = 1 ms i crm 30 a gesamt-verlustleistung totalpowerdissipation t c = 25c, t vj max = 150 p tot 105 w gate-emitter-spitzenspannung gate-emitterpeakvoltage v ges +/-20 v charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. kollektor-emitter-s?ttigungsspannung collector-emittersaturationvoltage i c = 15 a, v ge = 15 v i c = 15 a, v ge = 15 v v ce sat 1,70 1,90 2,15 v v t vj = 25c t vj = 125c gate-schwellenspannung gatethresholdvoltage i c = 0,50 ma, v ce = v ge , t vj = 25c v geth 5,0 5,8 6,5 v gateladung gatecharge v ge = -15 v ... +15 v q g 0,15 c internergatewiderstand internalgateresistor t vj = 25c r gint 0,0 w eingangskapazit?t inputcapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c ies 1,10 nf rckwirkungskapazit?t reversetransfercapacitance f = 1 mhz, t vj = 25c, v ce = 25 v, v ge = 0 v c res 0,04 nf kollektor-emitter-reststrom collector-emittercut-offcurrent v ce = 1200 v, v ge = 0 v, t vj = 25c i ces 5,0 ma gate-emitter-reststrom gate-emitterleakagecurrent v ce = 0 v, v ge = 20 v, t vj = 25c i ges 400 na einschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-ondelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 75 w t d on 0,09 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c anstiegszeit,induktivelast risetime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r gon = 75 w t r 0,03 0,05 s s t vj = 25c t vj = 125c abschaltverz?gerungszeit,induktivelast turn-offdelaytime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 75 w t d off 0,42 0,52 s s t vj = 25c t vj = 125c fallzeit,induktivelast falltime,inductiveload i c = 15 a, v ce = 600 v v ge = 15 v r goff = 75 w t f 0,07 0,09 s s t vj = 25c t vj = 125c einschaltverlustenergiepropuls turn-onenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = t.b.d. nh v ge = 15 v r gon = 75 w e on 1,50 2,10 mj mj t vj = 25c t vj = 125c abschaltverlustenergiepropuls turn-offenergylossperpulse i c = 15 a, v ce = 600 v, l s = t.b.d. nh v ge = 15 v r goff = 75 w e off 1,10 1,30 mj mj t vj = 25c t vj = 125c kurzschlu?verhalten scdata v ge 15 v, v cc = 900 v v cemax = v ces -l sce di/dt i sc 60 a t vj = 125c t p 10 s, w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase proigbt/perigbt r thjc 1,20 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c
4 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata diode,brems-chopper/diode,brake-chopper h?chstzul?ssigewerte/maximumratedvalues periodischespitzensperrspannung repetitivepeakreversevoltage t vj = 25c v rrm 1200 v dauergleichstrom continuousdcforwardcurrent i f 10 a periodischerspitzenstrom repetitivepeakforwardcurrent t p = 1 ms i frm 20 a grenzlastintegral i2t-value v r = 0 v, t p = 10 ms, t vj = 125c i2t 20,0 a2s charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. durchlassspannung forwardvoltage i f = 10 a, v ge = 0 v i f = 10 a, v ge = 0 v v f 1,80 1,85 2,25 v v t vj = 25c t vj = 125c rckstromspitze peakreverserecoverycurrent i f = 10 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v i rm 14,0 15,0 a a t vj = 25c t vj = 125c sperrverz?gerungsladung recoveredcharge i f = 10 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v q r 1,00 1,80 c c t vj = 25c t vj = 125c abschaltenergiepropuls reverserecoveryenergy i f = 10 a, - di f /dt = 400 a/s (t vj =125c) v r = 600 v e rec 0,26 0,56 mj mj t vj = 25c t vj = 125c w?rmewiderstand,chipbisgeh?use thermalresistance,junctiontocase prodiode/perdiode r thjc 2,30 k/w temperaturimschaltbetrieb temperatureunderswitchingconditions t vj op -40 125 c ntc-widerstand/ntc-thermistor charakteristischewerte/characteristicvalues min. typ. max. nennwiderstand ratedresistance t c = 25c r 25 5,00 k w abweichungvonr100 deviationofr100 t c = 100c, r 100 = 493 w d r/r -5 5 % verlustleistung powerdissipation t c = 25c p 25 20,0 mw b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/50 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/50 3375 k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/80 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/80 t.b.d. k b-wert b-value r 2 = r 25 exp [b 25/100 (1/t 2 - 1/(298,15 k))] b 25/100 t.b.d. k angabengem??gltigerapplicationnote. specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
5 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata modul/module isolations-prfspannung isolationtestvoltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 2,5 kv materialmodulgrundplatte materialofmodulebaseplate cu innereisolation internalisolation basisisolierung(schutzklasse1,en61140) basicinsulation(class1,iec61140) al 2 0 3 kriechstrecke creepagedistance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 10,0 mm luftstrecke clearance kontakt-khlk?rper/terminaltoheatsink kontakt-kontakt/terminaltoterminal 7,5 mm vergleichszahlderkriechwegbildung comperativetrackingindex cti > 225 min. typ. max. w?rmewiderstand,geh?usebiskhlk?rper thermalresistance,casetoheatsink promodul/permodule l paste =1w/(mk)/ l grease =1w/(mk) r thch 0,02 k/w modulstreuinduktivit?t strayinductancemodule l sce 60 nh modulleitungswiderstand,anschlsse- chip moduleleadresistance,terminals-chip t c =25c,proschalter/perswitch r cc'+ee' r aa'+cc' 4,00 3,00 m w lagertemperatur storagetemperature t stg -40 125 c anzugsdrehmomentf.modulmontage mountingtorqueformodulmounting schraubem5-montagegem.gltigerapplikationsschrift screwm5-mountingaccordingtovalidapplicationnote m 3,00 - 6,00 nm gewicht weight g 180 g
6 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c ausgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ce ) t vj =125c v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 v ge = 19v v ge = 17v v ge = 15v v ge = 13v v ge = 11v v ge = 9v bertragungscharakteristikigbt,wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) i c =f(v ge ) v ce =20v v ge [v] i c [a] 5 6 7 8 9 10 11 12 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(i c ),e off =f(i c ) v ge =15v,r gon =36 w ,r goff =36 w ,v ce =600v i c [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c
7 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlusteigbt,wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) e on =f(r g ),e off =f(r g ) v ge =15v,i c =25a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 e on , t vj = 125c e off , t vj = 125c transienterw?rmewiderstandigbt,wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 z thjc : igbt i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,09025 0,002345 2 0,3612 0,0282 3 0,2031 0,1128 4 0,1403 0,282 sichererrckw?rts-arbeitsbereichigbt,wechselrichter (rbsoa) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) i c =f(v ce ) v ge =15v,r goff =36 w ,t vj =125c v ce [v] i c [a] 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 i c , modul i c , chip durchlasskennliniederdiode,wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 125c
8 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(i f ) r gon =36 w ,v ce =600v i f [a] e [mj] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e rec , t vj = 125c schaltverlustediode,wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) e rec =f(r g ) i f =25a,v ce =600v r g [ w ] e [mj] 0 10 20 30 40 50 60 70 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 e rec , t vj = 125c transienterw?rmewiderstanddiode,wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter z thjc =f(t) t [s] z thjc [k/w] 0,001 0,01 0,1 1 10 0,01 0,1 1 10 z thjc : diode i: r i [k/w]: t i [s]: 1 0,1375 0,003333 2 0,888 0,03429 3 0,2558 0,1294 4 0,08101 0,7662 durchlasskennliniederdiode,gleichrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,rectifier(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 t vj = 25c t vj = 150c
9 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata ausgangskennlinieigbt,brems-chopper(typisch) outputcharacteristicigbt,brake-chopper(typical) i c =f(v ce ) v ge =15v v ce [v] i c [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 125c durchlasskennliniederdiode,brems-chopper(typisch) forwardcharacteristicofdiode,brake-chopper(typical) i f =f(v f ) v f [v] i f [a] 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0 5 10 15 20 25 30 t vj = 25c t vj = 125c ntc-widerstand-temperaturkennlinie(typisch) ntc-thermistor-temperaturecharacteristic(typical) r=f(t) t c [c] r[ w ] 0 20 40 60 80 100 120 140 160 100 1000 10000 100000 r typ
10 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata schaltplan/circuit_diagram_headline geh?useabmessungen/packageoutlines infineon
11 technischeinformation/technicalinformation FP25R12KT3 igbt-module igbt-modules preparedby:as approvedby:rs dateofpublication:2013-10-03 revision:2.0 vorl?ufigedaten preliminarydata nutzungsbedingungen dieindiesemproduktdatenblattenthaltenendatensindausschlie?lichfrtechnischgeschultesfachpersonalbestimmt.diebeurteilung dereignungdiesesproduktesfrihreanwendungsowiediebeurteilungdervollst?ndigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfrdiese anwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenabteilungen. indiesemproduktdatenblattwerdendiejenigenmerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglichegew?hrleistungbernehmen.eine solchegew?hrleistungrichtetsichausschlie?lichnachma?gabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherartwerdenfrdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsbernommen.dieangabenindengltigenanwendungs-und montagehinweisendesmodulssindzubeachten. solltensievonunsproduktinformationenben?tigen,dieberdeninhaltdiesesproduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroin verbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).frinteressentenhaltenwirapplicationnotesbereit. aufgrunddertechnischenanforderungenk?nnteunserproduktgesundheitsgef?hrdendesubstanzenenthalten.beirckfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfrsiezust?ndigenvertriebsbroinverbindung. solltensiebeabsichtigen,dasproduktinanwendungenderluftfahrt,ingesundheits-oderlebensgef?hrdendenoderlebenserhaltenden anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfrdiesef?lle -diegemeinsamedurchfhrungeinesrisiko-undqualit?tsassessments; -denabschlussvonspeziellenqualit?tssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinfhrungvonma?nahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolcherma?nahmenabh?ngigmachen. soweiterforderlich,bittenwirsie,entsprechendehinweiseanihrekundenzugeben. inhaltliche?nderungendiesesproduktdatenblattsbleibenvorbehalten. terms&conditionsofusage thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. shouldyouintendtousetheproductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityassessments; -theconclusionofqualityagreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. changesofthisproductdatasheetarereserved. infineon

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